buildup sur ecran aluminium

Bonsoir,

une petite colle qui me fait secher depuis quelques temps...

J'ai une source gamma mono-energetique. Je me place a 15 cm de la et entre la source et moi se trouve un ecran en aluminium de 0.16 cm d'epaisseur. Facile.
Je me suis amuse (et je n'aurai pas du...) a comparer les resultats I/Io en fonction de l'energie selon differentes methodes :



En bleu, le ratio des fluences avec ecran/sans ecran. Les donnees viennent directement d'une modelisation MicroShield et le buildup est pris en compte.
En rouge le calcul classique utilisant la formule I/Io=exp(-nu*x)
En gris le meme calcul avec correction de buildup donne par Dosimex (formule de Taylor)
En jaune le meme calcul avec correction de buildup donne par MicroShield

Ma question du coup est toute con : pourquoi le ratio de fluence, qui correspond aussi a I/Io, ne donne pas la meme gueule de courbe que les trois autres ?
Je precise qu'au dela de 100 keV, I/Io tourney autours de 1. C'est entre 10 et 100 keV que ca coince...

Bonne nuit.
Champi

Bonjour Champi
Je n'ai pas creusé la question et je pense que Gluon aura la réponse.
Mais le 100 keV ne correspondrait-il pas au passage de prépondérance entre l'effet photoélectrique et l'effet Compton ? Je n'ai pas approfondi les méthodes utilisées pour les codes de calculs pour voir ce qu'ils prenaient en compte.
Kloug

Bonjour,

oui, 100 keV, c'est tres proche de la limite entre l'effet photoelectric et le Compton (Z aluminium = 13).
Mais ma question porte plus sur la courbe. Pourquoi le rapport de fluence est totalement different des autres rapports ? Est ce une subtilite de MS ? Ou juste le mauvais ratio utilise ? 

Je suis confus...
Confus.